半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044160
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243510
出願日： 1992年02月29日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 SOI基板上における各トランジスタの性能を独立に最適化して、PMOSトランジスタの特性を向上させ、CMOS回路の動作速度が向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 P型単結晶シリコン基板11上に酸化膜12が形成され、この酸化膜12上には、NMOSトランジスタ13及びPMOSトランジスタ14に使用する単結晶シリコン層15,16が夫々独立して形成されている。このPMOSトランジスタ14を形成するための単結晶シリコン層16の厚さは、NMOSトランジスタを形成するための単結晶シリコン層15の厚さより薄く形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁体上に単結晶シリコン薄膜が形成され、この単結晶シリコン薄膜を含むPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタが構成された半導体集積回路において、前記PMOSトランジスタを形成するための単結晶シリコン薄膜の厚さが、前記NMOSトランジスタを形成するための単結晶シリコン薄膜の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体集積回路装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-122154
特開昭57-122561
特開平2-137271

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