配線構造の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318674
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153162
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】ビア孔の高アスペクト化に対応したバリアメタル膜の十分な被覆性(カバレッジ)を確実に得ることを可能とし、半導体装置の更なる微細化・高集積化に対応しつつも配線信頼性及び初期歩留りの向上を実現する。【解決手段】バリアメタル膜7をスパッタ法により形成するに際して、バリアメタル膜7の材料を堆積させる条件で行う第1のスパッタ工程と、バリアメタル膜7の材料を堆積させる第1の状態と、堆積したバリアメタル膜7の材料をエッチングする第2の状態とが混在し、第2の状態が第1の状態よりも強度となる条件で行う第2のスパッタ工程と、バリアメタル膜7の材料を堆積させる条件で行う第3のスパッタ工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上方の絶縁膜内に下地膜を介してなる配線構造を形成する方法であって、前記下地膜をスパッタ法により形成するに際して、前記下地膜の材料を堆積させる状態による条件で行う第1のスパッタ工程と、前記下地膜の材料を堆積させる第1の状態と、堆積した前記下地膜の材料をエッチングする第2の状態とが混在し、前記第1の状態が前記第2の状態よりも強度となる条件で行う第2のスパッタ工程とを含むことを特徴とする配線構造の形成方法。

IPC (2件)：

H01L21/768 , H01L21/285

FI (2件)：

H01L21/90 A , H01L21/285 S

Fターム (19件)：

4M104BB17 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033PP15 , 5F033PP17 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR25 , 5F033SS21

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置および該装置を形成するためのプロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-201197 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体装置のチタニウム膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-179341 出願人：現代電子産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-096966 出願人：ソニー株式会社

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