特許
J-GLOBAL ID：200903062112963430
半導体装置および該装置を形成するためのプロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-201197
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074227
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 障壁膜および導電膜を含む相互接続を有する半導体装置を簡単なプロセスで的確に実現する。【解決手段】 半導体装置は、相互接続および導電プラグのような、導電構造内で使用される、障壁膜のような、第1の膜の連続的に変化する部分44,1032を有する。該連続的に変化する部分は、高融点金属および窒素のような、第1の元素および第2の元素を含む。連続的な変化はより導電的な第2の膜46,1054および1064のより近くで第1の元素の濃度の変化を有する。他の半導体装置は第1の導電膜および主として銅である第2の導電膜1054および1065を含む。第1の導電膜は第1の部分、第2の部分、および第3の部分を有し、第3の部分は第2の導電膜に最も接近している。第2の部分の窒素濃度は第1および第3の部分の各々の窒素濃度より高い。
請求項（抜粋）：
基板の上に導電性構造を含む半導体装置であって、前記導電性構造は第1の導電膜および第2の導電膜(46,1054および1064)を具備し、前記第1の導電膜は第1の部分(44,1032)および第2の部分(46,1022)を有し、前記第1の部分(44,1032)は前記第2の部分に比較して前記第2の導電膜により近く横たわっており、前記第1の部分(44,1032)は金属元素を含む連続的に変化する領域を有し、前記連続的に変化する領域内の金属元素の原子濃度は前記第2の導電膜からの距離が増大するに応じて増大し、前記第2の部分(46,1022)は金属元素を含み、前記第2の部分(46,1022)内の金属元素の原子濃度は前記連続的に変化する領域内の金属元素の平均原子濃度より高く、そして前記第2の導電膜(46,1054および1064)は前記第1の導電膜より導電的である、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, H01L 21/203
, H01L 21/768
H01L 21/285 301 R
, H01L 21/285 S
, H01L 21/203 S
, H01L 21/90 C
