特許
J-GLOBAL ID：200903018621097360
デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296035
公開番号（公開出願番号）：特開平7-181691
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 スチレンの化学的性質に基づく化学的に増幅されたレジストに適したポリマーをスチレンのフェニル環のメタ位の置換基を用いて有利に形成する。【構成】 メタ位で置換されたポリマーを始めとする(それに限定するわけではない)このような用途のためのポリマーは、第一の保護基を持つ第一のモノマーと第二の保護基を持つ第二のモノマーとを反応させることによって有利に形成される。重合の後、この第二の保護基は、前記第一の保護基に実質的な影響を与えることなく除去される。例えば、もしこの第一の保護基がアルコキシカルボニル基であり、前記の第二の保護基がシリルエーテル基であると、微量の酸と共に低級アルコールによる処理によって、前記のアルコキシカルボニル基に影響を与えることなく、前記のシリル基がOH基に変換される。
請求項（抜粋）：
第一の保護基を持つ複数の第一の置換基と複数の第二の置換基を持つポリマーをパターン状にデバイスの基板へ塗布するステップと、前記の第一の保護基の実質的な除去を誘起し、潜像を形成するために前記のポリマーを照射により露光するステップと、前記の像を現像するステップと、デバイスを完成するために上記の結果得られたパターンを使用するステップとからなるデバイスの製造方法において、前記の露光に先立ち前記複数の第二の置換基を残すために、複数の第二の保護基を除去することを特徴とするデバイスの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 501
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
