半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266175
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】シリコンウェーハが直径200mm以上の大口径であっても、シリコンウェーハ上に成長するエピタキシャル層の膜厚均一性、抵抗率分布の均一性、及び狭い遷移幅を維持したまま、シリコンウェーハに及ぼすストレスが小さく、反りが小さくなり、しかも、表面の酸化膜をエッチング除去する等の特別な工程を加えることなく表面の平坦度が優れたシリコンウェーハを実現するためのオートドープ防止用の保護膜を持つシリコンウェーハを提供する。【解決手段】一主面にドーパント揮散防止用保護膜を有する半導体ウェーハの製造方法において、半導体基板の一主面にプラズマCVD法によりドーパント揮散防止用保護膜を形成することを特徴とする。この半導体ウェーハは、主として、ドーパント揮散防止用保護膜が形成されていない一主面に半導体薄膜をエピタキシャル成長させるために使用される。

請求項（抜粋）：

一主面にドーパント揮散防止用保護膜を有する半導体ウェーハの製造方法において、半導体ウェーハの一主面にプラズマCVD法によりドーパント揮散防止用保護膜を形成することを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/316 , H01L 21/223

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/316 X , H01L 21/223 A

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平3-034535
一様かつ反復可能な高速熱処理用の半導体ウエーハの調節
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-029570 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開昭63-316442

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