特許

J-GLOBAL ID：200903018642419570

蛍石単結晶の製造方法

発明者： 塩澤 正樹 ,  水垣 勉 ,  佐久間 繁 ,  高野 修一 ,  西川 秀美
出願人/特許権者： 株式会社ニコン ,  応用光研工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-070982
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265296
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：

【要約】【課題】 エキシマレーザーステッパーの光学系にも使用可能な、高度な光学性能を有する大口径の蛍石単結晶が得られる蛍石単結晶の製造方法を提供すること【解決手段】 底部に種子結晶を収納し、その上に蛍石原料を収納したルツボを、前記種子結晶及び蛍石原料の融点前後にわたる温度勾配を有する結晶成長炉の中で垂直に降下させることにより、前記種子結晶及び蛍石原料を融解させて融液を形成するとともに、前記底部から前記融液を順次固化させて蛍石単結晶を成長させる、垂直ブリッジマン法による蛍石単結晶の製造方法において、(111)結晶面を表面(または断面)に有する種子結晶を使用して、種付けから連続成長を進行させることにより、インゴット全体を単結晶として成長させることを特徴とする蛍石単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

底部に種子結晶を収納し、その上に蛍石原料を収納したルツボを、前記種子結晶及び蛍石原料の融点前後にわたる温度勾配を有する結晶成長炉の中で垂直に降下させることにより、前記種子結晶及び蛍石原料を融解させて融液を形成するとともに、前記底部から前記融液を順次固化させて蛍石単結晶を成長させる、垂直ブリッジマン法による蛍石単結晶の製造方法において、(111)結晶面を表面(または断面)に有する種子結晶を使用して、種付けから連続成長を進行させることにより、インゴット全体を単結晶として成長させることを特徴とする蛍石単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/12 ,  C30B 11/00 ,  G02B 1/02 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C30B 29/12 ,  C30B 11/00 Z ,  G02B 1/02 ,  H01L 21/30 515 D

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 化合物半導体単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-329774   出願人：株式会社日鉱共石
• 特開平4-349198
  
• 特開昭64-037500
  
• 半導体単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018272   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (6件)

• 化合物半導体単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-329774   出願人：株式会社日鉱共石
• 特開平4-349198
  
• 特開昭64-037500
  
• 半導体単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018272   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-349198
  
• 特開昭64-037500