特許
J-GLOBAL ID：200903085976290144
半導体単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018272
公開番号（公開出願番号）：特開平6-227886
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、従来の単結晶より大口径で欠陥の少ないSiC単結晶基板を提供することを目的とする。【構成】 SiCを昇華法または溶液法により成長する場合、種結晶の成長主面に接する側面を(0001)面及び(1-100) 面のいずれの面からも傾いた面で形成する。【効果】 ファセットによる結晶径の広がりの阻害がないため、径の増大が容易であり、成長主面の平坦性が確保され、結晶欠陥の増加要因の1つがなくなる。
請求項（抜粋）：
バルク成長法により、ヘキサゴナール型単結晶よりなる種結晶上にヘキサゴナール型単結晶を成長させる半導体単結晶の製造方法において、前記種結晶の成長主面に接する側面は(0001)面及び(1-100) 面のいずれの面からも傾いた面のみを有する種結晶を用いることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。
IPC (8件)：
C30B 9/04
, C30B 11/14
, C30B 17/00
, C30B 19/12
, C30B 23/02
, C30B 29/36
, H01L 21/203
, H01L 21/208
