スタティックランダムアクセスメモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鵜沼辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-167792
公開番号（公開出願番号）：特開平7-021780
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】大容量化及び高速化に適したSRAMを提供すること。【構成】メモリセルを構成するフリップフロップ31がトランスファMOSFET32を介してデータ線12、13、14に接続されている。トランスファMOSFET32のゲートは隣接したメモリセルで各々、別のサブワード線15に接続され、隣接したメモリセルから同時にデータが出力されることがないので、メモリセル間でデータ線を共有できる。データの読み出し書き込みはYスイッチ37、36を各々隣接した3個あるいは2個同時にオンさせて共通データ線40にデータ線12、13、14を接続して行う。

請求項（抜粋）：

列方向に配設されるデータ線と、該データ線に出力されたデータを記憶するラッチ回路と、該ラッチ回路からデータを読み出し、あるいは前記ラッチ回路にデータを書き込むために前記ラッチ回路とデータ線とを接続する一対のスイッチ手段と、該一対のスイッチ手段のオン、オフ状態を制御する制御信号を該一対のスイッチ手段に供給する行方向に配設されるワード線とから構成されるメモリセルを複数、有するスタティックランダムアクセスメモリにおいて、隣接する2つのメモリセルを構成するラッチ回路が、それぞれ2本のサブワード線のうち相互に異なるサブワード線に接続されると共に、前記隣接する2つのメモリセルで1本のデータ線を共有することを特徴とするスタティックランダムアクセスメモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/418 , G11C 11/417

FI (2件)：

G11C 11/34 301 B , G11C 11/34 305

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-335296
特開平3-194795
特開平1-178199

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