特許
J-GLOBAL ID：200903018670710400
スパッタリング方法及びスパッタリング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194952
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045846
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 被処理体表面にある高いアスペクト比の溝、穴内に、スパッタリングによって堆積種を埋め込むにあたり、ボイドを発生させずにその底部から堆積させる。【構成】 減圧自在に構成された石英管63内にターゲット76とウエハWを対向配置させ、ウエハWに対して低電圧バイアスを印加させると共にアンテナ85によって高密度のヘリコン波プラズマをターゲット76とウエハWとの間に発生させる。ウエハWはプラズマ領域Pの下側境界外に近接させて配置する。堆積種は、プラズマ領域P中でイオン化され、垂直方向に加速されてウエハWに入射、堆積するので、ウエハW表面の溝の底部から堆積していく。
請求項（抜粋）：
減圧自在に構成された処理容器内にターゲットと被処理体を対向配置し、前記処理容器内にガスを導入しつつプラズマを発生させて、前記ターゲットからの堆積種又はターゲットからの粒子と前記ガスとの結合堆積種を前記被処理体に堆積させるスパッタリング方法において、前記プラズマは適宜のアンテナ手段によって発生させるようにし、前記ターゲットは少なくとも当該プラズマ領域内に位置させ、さらに前記被処理体は当該プラズマ領域境界外方近傍に位置させると共に、この被処理体にはバイアス電圧を印加させることを特徴とする、スパッタリング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C23C 14/34
, H01L 21/285
, H05H 1/46
