特許

J-GLOBAL ID：200903018684482108

縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置

発明者： 南 眞嗣
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-018929
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210603
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハを回転させる機構を用いずに良好な膜厚均一性を有する半導体ウェーハを提供することができる縦型熱処理装置用の反応管および該反応管を用いた縦型熱処理装置を提供する。【解決手段】 ガス導入口1から導入された反応ガスが所定の分布状態を有するガス分散板2を通って反応管4内に均一に供給される。導入部付近に位置するダミーウェーハ9の熱を周辺から均一に奪う結果、ダミーウェーハ9の領域においてガス流は均一な温度分布を有するようになる。このため、製品ウェーハ10の領域ではどのようなガスの流れとなっても、酸化膜の膜厚均一性が回転する機構の有無によって変化しないようにすることができる。したがって、ウェーハを回転させる機構を設けなくても製品ウェーハ10の円周上の膜厚不均一性を解消することができる。回転する機構を設けないことにより装置のコストを下げることもできる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの縦型熱処理装置用の反応管であって、前記反応管内部へガスを導入する該反応管の上部中央に設けられたガス導入部と、前記ガス導入部から導入されたガスを前記反応管内部へ分散させる分散部とを備えたことを特徴とする縦型熱処理装置用の反応管。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/31 E

Fターム (8件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045EE20 ,  5F045EK21 ,  5F045EK30 ,  5F045EM08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-194924
  
• 半導体処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-173354   出願人：東芝セラミックス株式会社, 株式会社東芝
• 特開昭63-041028
  
• 特開平3-194924
  
• 特開昭63-041028