特許
J-GLOBAL ID：200903018688396737
縦型MOSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370408
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136166
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】縦型MOSFETのアバランシェ耐量を向上することを目的とする。【解決手段】本発明の縦型MOSFETは、N型半導体基板1の表面上に等間隔に配置されたFETセル10及びダイオードセル11を頂点とした単位配置領域の中央部分を中心として、N型基板1よりも不純物濃度の低いN型領域8を形成するか、もしくはP型領域9を形成することにより、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制してアバランシェ耐量を向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板表面に所定の間隔で配列された第二導電型のチャネル領域および前記チャネル領域の表面に形成された第一導電型のソース領域とを含むFETセルと、
前記FETセル配列に沿って所定の間隔で配列され、前記半導体基板と前記半導体基板表面に形成された第二導電型領域からなるダイオードセルを備え、
前記ソース領域の中心部、あるいは前記ソース領域の中心部と前記ダイオードセルの第二導電型領域の中心部を頂点とした単位配置領域の中心部で、かつ前記半導体基板表面に、前記半導体基板よりも不純物濃度の低い第一導電型領域を形成したことを特徴とする縦型MOSFET。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652S
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 657A
