特許
J-GLOBAL ID：200903018699727441
単結晶引上方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187813
公開番号（公開出願番号）：特開2000-016898
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：
【要約】【課題】 単結晶引上方法および装置において、種結晶を良好に無転位化するとともに単結晶化率を高くすること。【解決手段】ルツボ4内の半導体融液より半導体単結晶C0を引き上げる単結晶引上方法であって、上下動される引上ワイヤ6により吊り下げられた種結晶Sを半導体融液に浸して無転位化する無転位化工程と、該無転位化工程後に種結晶を引き上げ半導体単結晶を成長させるとともに所定の結晶径まで結晶径を徐々に増大させて肩部を形成する肩部形成工程と、該肩部形成工程後に所定の結晶径を維持して半導体単結晶を引き上げる単結晶引上工程とを備え、無転位化工程は、無転位化時に引上ワイヤの軸方向における温度勾配を小さく設定し、単結晶引上工程は、単結晶成長時に前記温度勾配を大きく設定する。
請求項（抜粋）：
ルツボ内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、上下動される引上ワイヤにより吊り下げられた種結晶を前記半導体融液に浸して無転位化する無転位化工程と、該無転位化工程後に前記種結晶を引き上げ半導体単結晶を成長させるとともに所定の結晶径まで結晶径を徐々に増大させて肩部を形成する肩部形成工程と、該肩部形成工程後に前記所定の結晶径を維持して半導体単結晶を引き上げる単結晶引上工程とを備え、前記無転位化工程は、無転位化時に前記引上ワイヤの軸方向における温度勾配を小さく設定し、前記単結晶引上工程は、単結晶成長時に前記温度勾配を大きく設定することを特徴とする単結晶引上方法。
IPC (2件)：
C30B 15/22
, C30B 29/06 502
C30B 15/22
, C30B 29/06 502 H
4G050FF51
, 4G050FF55
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077EG19
, 4G077EH06
