特許
J-GLOBAL ID：200903014471501391
半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124120
公開番号（公開出願番号）：特開平9-286692
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 CZ法による半導体単結晶の製造において、単結晶引き上げ時の熱履歴に依存する品質特性の管理が容易にできるようにする。【解決手段】 半導体単結晶製造装置に昇降自在の環状のアフタヒータ19を設ける。引き上げ中の単結晶シリコン13が1200°C〜1000°Cの温度領域を通過する際の温度勾配を20°C/cm未満、望ましくは15°C/cm以下とするため、前記温度領域に相当する部位よりも100〜300°C低い部位をアフタヒータ19で加熱する。熱遮蔽筒20により、融点〜1250°Cの温度領域を通過する際の温度勾配は20°C/cm以上となり、結晶化が容易となる。これにより、酸化膜耐圧に優れ、酸素析出量の均一な単結晶シリコンが得られる。多結晶シリコンの溶解時及び絞り工程においてはアフタヒータ19、熱遮蔽筒20を上方に移動する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法による半導体単結晶製造装置において、引き上げ中の単結晶を取り巻く環状のアフタヒータと、アフタヒータ昇降機構と、アフタヒータに供給する電力ならびにアフタヒータの位置を制御する手段とを設けたことを特徴とする半導体単結晶製造装置。
IPC (4件)：
C30B 15/22
, C30B 15/14
, H01L 21/208
, C30B 29/06 502
C30B 15/22
, C30B 15/14
, H01L 21/208 P
, C30B 29/06 502 E
