特許
J-GLOBAL ID：200903018706560086
化合物半導体基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324968
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163399
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板上に化合物半導体層を形成した場合、この化合物半導体層の結晶性が損なわれ、またこの化合物半導体層の高抵抗化を図ることができないという問題があった。【解決手段】 周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III-V族の元素から成る化合物半導体層を前記基板に連続してエピタキシャル成長させた化合物半導体基板において、前記化合物半導体層が周期表第II、IV、またはVI族の元素の少なくとも一種を、その原子濃度が前記基板との界面側で1×1017atoms・cm-3以上となり、且つ表面側で1×1017atoms・cm-3以下となるような勾配を有して含有する。
請求項（抜粋）：
周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III-V族の元素から成る化合物半導体層を前記基板に連続してエピタキシャル成長させた化合物半導体基板において、前記化合物半導体層が周期表第II、IV、またはVI族の元素の少なくとも一種を、その原子濃度が前記基板との界面側で1×1017atoms・cm-3以上となり、且つ上層側で1×1017atoms・cm-3以下となるような勾配を有して含有することを特徴とする化合物半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 A
, H01L 21/205
, H01S 3/18
