特許

J-GLOBAL ID：200903018723575720

Zn系半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 石崎 順也
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-317354
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153062
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】簡便に製造可能であるとともに、発光領域の品質を高めることを可能とするZn系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1の主表面上に、基板1に含まれないIn系化合物またはZn系化合物を構成材料とする前段バッファ層2’を多結晶層またはアモルファス層として積層形成させる。そして、発光領域を形成する前に、該前段バッファ層2’に対して再結晶化のための熱処理を施すことによりバッファ層2とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板の主表面上に、該基板に含まれないIn系化合物またはZn系化合物よりなるバッファ層を形成し、該バッファ層上にZn系化合物よりなる発光領域を形成するZn系半導体発光素子の製造方法であって、 前記基板の主表面上に多結晶層またはアモルファス層の積層体を形成した後、前記発光領域を形成する前に、前記積層体を熱処理して前記バッファ層となすことを特徴とするZn系半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

FI (3件)：

H01L33/00 D ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Fターム (26件)：

5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA24 ,  5F041CA25 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045HA16 ,  5F045HA23 ,  5F052AA17 ,  5F052DA06 ,  5F052DB06 ,  5F052DB07 ,  5F052FA19 ,  5F052KA01 ,  5F052KA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245220   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文