特許

J-GLOBAL ID：200903018723643157

オプトエレクトロニクスのための構成素子及びその製造方法

発明者： ヨハネス バウル ,  ウーヴェ シュトラウス ,  ノルベルト リンダー ,  ラインハルト ゼドルマイアー ,  エルンスト ニルシュル
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-587490
公開番号（公開出願番号）：特表2003-534667
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2003年11月18日
要約：

【要約】発光ダイオード(1)の接触層(6)の透過性を改善するために接触層(6)中にpn接合(5)中で生じる光子が流出できる開口(8)を設けることが提案される。開口(8)の製造のために、例えばポリスチレンからなる小球を使用する。

請求項（抜粋）：

InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1及びx+y≦1)をベースとする半導体表面上の放射線を透過する接触層(6)を有するオプトエレクトロニクスのための構成素子において、該接触層(6)が多数の並んで配置された切欠(8)を有し、かつ接触層(6)の厚さが5nmより厚くかつ100nmより薄いことを特徴とするオプトエレクトロニクスのための構成素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 素子の電極及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-028527   出願人：豊田合成株式会社
• 精細パタ-ンが形成された反射接触部を備える発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-231279   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-045983   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057235   出願人：シャープ株式会社