酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136710
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332136
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】動作電圧を下げることができ、素子の微細化が容易な新たな構造を有する不揮発性メモリを提供する。【解決手段】少なくとも1つの角構造を有し、前記角構造を挟んでソース電極との接合部とドレイン電極との接合部とが形成された半導体基板上に、前記半導体基板の角構造にそった角構造を有するゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜上にゲートが形成された不揮発性メモリであって、前記ゲート酸化膜内に電気的に注入され、前記ゲート酸化膜内に捕獲されるキャリヤによるしきい値電圧の変化によって情報を記憶するように構成した。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの角構造を有し、前記角構造を挟んでソース電極との接合部とドレイン電極との接合部とが形成された半導体基板上に、前記半導体基板の角構造にそった角構造を有するゲート絶縁膜が形成され、前記ゲート絶縁膜上にゲートが形成された不揮発性メモリであって、前記ゲート酸化膜内に電気的に注入され、前記ゲート酸化膜内に捕獲されるキャリヤによるしきい値電圧の変化によって情報を記憶するように構成したことを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (10件)：

5F001AA16 , 5F001AB02 , 5F001AC01 , 5F001AD21 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083EP42 , 5F083ER03 , 5F083ER05 , 5F083ER09

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-018268
特開昭47-026937
不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-260766 出願人：松下電器産業株式会社

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