特許

J-GLOBAL ID：200903018744416622

電界効果型トランジスタ及びオーミック電極の形成方法

発明者： 大野 泰夫 ,  西薗 和博
出願人/特許権者： 大野 泰夫 ,  京セラ株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-078600
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288853
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】Gaを含むIII-V族化合物半導体電界効果型トランジスタにおいて、ソース電極、ドレイン電極のオーミック電極部のコンタクト抵抗を低減する。【解決手段】ソース電極及びドレイン電極を構成するオーミック電極部が金属酸化物ZnO層を含むものであり、前記金属酸化物ZnOの電子親和力をχA、前記Gaを含むIII-V族化合物半導体AlGaNの電子親和力をχBとすると、χA≦χBの関係がある。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Gaを含むIII-V族化合物半導体層と、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有してなる電界効果型トランジスタにおいて、 前記ソース電極及びドレイン電極のオーミック電極部が金属酸化物層を含むものであり、前記金属酸化物層の電子親和力χAと、前記Gaを含むIII-V族化合物半導体の電子親和力χBとの関係が、χA≦χBであることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (4件)：

H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/50 J

Fターム (31件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT03 ,  5F102HA03 ,  5F102HB09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19