セラミック基板の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073963
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269011
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】ヒートショックにおける急冷温度や、マザー基板への切り込み溝深さを限定して、工程が簡略なセラミック基板の製造方法を提供する。【解決手段】厚みに対して30〜70%の切り込み溝を有するマザー基板を、焼成後の冷却過程において、急冷開始温度120°C以上から急冷し、個々のセラミック基板に分割する。

請求項（抜粋）：

セラミック焼結体からなり、表面に切り込み溝が形成されたマザー基板を、120°C以上から急冷することにより、前記切り込み溝にそって分割することを特徴とするセラミック基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01C 17/06 , B28D 5/00 , H05K 3/00 , H01C 7/02

FI (4件)：

H01C 17/06 V , B28D 5/00 Z , H05K 3/00 J , H01C 7/02

Fターム (12件)：

3C069AA03 , 3C069BA04 , 3C069BB04 , 3C069CA03 , 3C069EA01 , 5E032BA23 , 5E032BB09 , 5E032CC03 , 5E032CC08 , 5E034AB01 , 5E034DE12 , 5E034DE17

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭58-168214
半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-051458 出願人：日本電装株式会社
特開平3-291184

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