特許
J-GLOBAL ID:200903078476530126

半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-051458
公開番号(公開出願番号):特開平8-250454
出願日: 1995年03月10日
公開日(公表日): 1996年09月27日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、半導体ウェハの表面に可動部や突起物を有する機能素子を備える半導体装置を効率的にダイシングカットするようにした半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具を提供する。【構成】 本発明によると、前記可動部または突起部と対向する領域に凹部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて前記半導体ウェハをダイシングカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。また、本発明によると、前記半導体ウェハの可動部または突起部と対向する部分に形成されるもので、前記可動部または前記突起部を保護する凹部と、該凹部の形成領域内または領域外に形成されるもので、ダイシング装置の真空チャックステージからのバキューム吸引により前記半導体ウェハを固定する貫通孔とを有するダイシング治具が提供される。
請求項(抜粋):
半導体基板の表面に可動部または突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法において、前記可動部または突起部と対向する領域に凹部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて半導体ウェハをダイシングカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/84
FI (4件):
H01L 21/78 M ,  H01L 29/84 Z ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/90 Z
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 基板保持盤
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-070339   出願人:キヤノン株式会社
  • 特開平4-039954
  • 特開平4-326508
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審査官引用 (11件)
  • 基板保持盤
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-070339   出願人:キヤノン株式会社
  • 特開平4-039954
  • 特開平4-326508
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