特許

J-GLOBAL ID：200903018756281676

銅配線基板及びその製造方法並びに液晶表示装置

発明者： 坂本 新 ,  福井 洋文
出願人/特許権者： エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034176
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223217
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 比抵抗が低くて光透過率も低く、銅薄膜との接触抵抗が低く接触抵抗のバラツキの少ない均一な特性を有する金属酸化物導電体薄膜を得る。【解決手段】 厚さが1000〜1200オングストローム、比抵抗が300〜400Ωcm、光透過率が85%以上、銅薄膜との接触抵抗が1.0×10-6Ωcm以下の金属酸化物導電体薄膜とした。このような金属酸化物導電体薄膜の形成方法は、成膜当初は非酸化性雰囲気中でスパッタ成膜し、次いで酸素を富化した酸化性雰囲気中でスパッタ成膜することにより得られる。この金属酸化物導電体薄膜を採用することにより、透明画素電極として使用する場合には比抵抗が低く、光透過率が高いので高輝度の液晶表示画面が得られる利点を有する。また、端子部の保護膜として使用する場合には、銅配線との接触抵抗が低く、かつ接触抵抗のバラツキも少ないので動作の安定した液晶表示装置が得られる利点を有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁性である基板上に銅配線を有し、該銅配線の表面に金属酸化物導電体を具備しており、該金属酸化物導電体の比抵抗が300〜400Ωcm、可視光透過率が85%以上であり、かつ銅配線との接触抵抗が0.3×10-6Ωcm2 〜0.7×10-6Ωcm2 であることを特徴とする銅配線基板。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

G02F 1/1343 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/88 M ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 617 L

Fターム (69件)：

2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KA22 ,  2H092KB14 ,  2H092KB24 ,  2H092MA04 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  2H092PA06 ,  5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH40 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ40 ,  5F033KK11 ,  5F033MM05 ,  5F033MM11 ,  5F033PP15 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH10 ,  5F103LL13 ,  5F103RR05 ,  5F110AA03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK24 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL23 ,  5F110HM18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-086292   出願人：三菱電機株式会社, 株式会社アドバンスト・ディスプレイ