薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-086292
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284195
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】低抵抗なAl配線材料を用いて、生産コストの低下および生産性の向上を計ることができる高性能なTFTとその製造方法および液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、透明絶縁性基板上に形成された第1電極であるゲート、ソースおよびドレインと、該第1電極および前記透明絶縁性基板を覆って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第2電極とを少なくとも含み、前記第1電極が純AlおよびAl合金のうちのいずれかからなる下層の第1層と、純AlおよびAl合金のうちのいずれかにN、O、SiおよびCのうちの少なくとも1つからなる不純物を添加されてなる第2層とからなり、前記第2電極が透明膜電極からなり、前記第2電極と前記第1電極の第2層とが電気的に接続されてなる。

請求項（抜粋）：

(1)透明絶縁性基板上に、純AlおよびAl合金のいずれかを用いて、ゲート、ソースおよびドレインのうちの少なくとも1つである第1電極を形成する工程と、(2)N、O、SiおよびCのうちの少なくとも1つからなる不純物を前記第1電極の上層に添加し前記不純物を添加した第2層と前記不純物を添加しない第1層を形成する工程と、(3)前記第1電極および前記基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、(4)該絶縁膜にパターニングを施しコンタクトホールを形成する工程と、(5)前記絶縁膜上に透明膜電極からなる第2電極を形成して該第2電極と第1電極とを前記コンタクトホールを介して電気的に接続する工程とを少なくとも含む薄膜トランジスタの製法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 29/78 616 K , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 M , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 616 V

引用特許：

審査官引用 (13件)

アルミニウム信号ラインおよび半導体装置ならびにそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-301781 出願人：エルジー電子株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-175964 出願人：キヤノン株式会社
特開平1-255829

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