特許
J-GLOBAL ID：200903018758637273

半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
犬塚 忠志

犬塚 忠志 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-004081
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209160
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハへのダメージを抑制して容易かつ安定して高品質の半導体装置の製造を行うことができる半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの裏面を研削して半導体ウェハの厚さを薄くする研削工程(S2)を有する半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法であって、前記研削工程(S2)前に、前記半導体ウェハの表面に、両面に粘着剤が付与された保護テープを用いてキャリア板を貼り合わせるキャリア板設置工程(S1)を有することを特徴とする半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの裏面を研削して半導体ウェハの厚さを薄くする研削工程を有する半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法であって、前記研削工程前に、前記半導体ウェハの表面に、両面に粘着剤が付与された保護テープを用いてキャリア板を貼り合わせるキャリア板設置工程を有することを特徴とする半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/304 631
FI (6件)：
H01L 21/68 N ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/68 T ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Q
Fターム (18件)：
5F031CA02 ,  5F031CA13 ,  5F031CA15 ,  5F031DA01 ,  5F031DA11 ,  5F031DA15 ,  5F031EA02 ,  5F031FA03 ,  5F031HA78 ,  5F031JA04 ,  5F031JA39 ,  5F031MA34 ,  5F031MA35 ,  5F031MA37 ,  5F031MA39 ,  5F031MA40 ,  5F031PA13 ,  5F031PA20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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