半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015372
公開番号（公開出願番号）：特開2000-284722
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】最小限の面積で必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】画素部の保持容量を第1保持容量と第2保持容量とを上下に重ねて並列に接続した構造とする。その際、第1保持容量は、ドレイン領域111と同一の層に形成された第1容量電極114、第1誘電体118及びゲート配線と同一の層に形成された第2容量電極122で形成され、第2保持容量は、第2容量電極122、第2誘電体126及び遮光膜と同一の層に形成された第3容量電極127cで形成される。

請求項（抜粋）：

画素TFTと保持容量とを有する画素部と、該画素部を駆動する駆動回路部とを含む半導体装置において、前記保持容量は第1保持容量と第2保持容量とが並列に接続されて形成されており、前記第1保持容量は、前記画素TFTの活性層に電気的に接続された第1容量電極、第1誘電体および第2容量電極で形成され、前記第2保持容量は、前記第2容量電極、第2誘電体および第3容量電極で形成され、前記第1容量電極と前記第3容量電極とは画素電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 349 , G02F 1/1345 , G02F 1/1368 , H01L 29/786

FI (5件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 349 Z , G02F 1/1345 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-306223 出願人：株式会社東芝
特開平4-333828
アクティブマトリクス回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-154177 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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