特許

J-GLOBAL ID：200903011975068312

アクティブマトリクス回路

発明者： 須沢 英臣
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-154177
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335903
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタによって構成されたアクティブマトリクス回路とその駆動回路の新しい構成を提案する。【構成】 ドーピングプロセスとサイドウォールを組み合わせることにより、アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタのソース/ドレインにはN型もしくはP型のいずれか一方の不純物をドーピングし、アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタと導電型が同じで、かつ、周辺回路に使用されている薄膜トランジスタのソース/ドレインにはP型およびN型の不純物が両方とも含まれるようにする。

請求項（抜粋）：

モノリシック型アクティブマトリクス回路において、アクティブマトリクス回路に用いられる薄膜トランジスタのソース/ドレインにはN型もしくはP型のいずれか一方の不純物のみがドーピングされており、周辺回路に用いられている同じ導電型の薄膜トランジスタのソース/ドレインにはN型およびP型の不純物の双方がドーピングされていることを特徴とするアクティブマトリクス回路。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜状半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-186891   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-195123
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-269173   出願人：カシオ計算機株式会社
• 特開平2-224284
  
• 特開平4-170067