特許

J-GLOBAL ID：200903018796590345

温度変動を制御したSi単結晶の育成方法

発明者： 川西 荘六 ,  泉妻 宏治 ,  十河 慎二 ,  佐々木 斉 ,  木村 茂行 ,  碇 敦
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  川西 荘六 ,  泉妻 宏治 ,  十河 慎二 ,  佐々木 斉 ,  碇 敦
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091430
公開番号（公開出願番号）：特開平8-259373
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 温度変動の抑制により成長方向に関する不純物濃度分布を均一化したSi単結晶をチョクラルスキー法で得る。【構成】 B又はPを添加したSi融液からチョクラルスキー法でSi単結晶を引上げる際、融点近傍における前記融液の熱膨張係数を小さくする元素をSi融液に追加添加する。熱膨張係数を小さくする元素としては、Ga,Sb及びInから選ばれた1種又は2種以上が使用される。【効果】 成長界面直下において熱膨張が局部的に大きくなることによる乱流状態が抑制され、安定した温度条件下でSi単結晶が育成される。

請求項（抜粋）：

B又はPを添加したSi融液からチョクラルスキー法でSi単結晶を引上げる際、融点近傍における前記融液の熱膨張係数を小さくする元素を前記融液に追加添加することを特徴とする温度変動を抑制したSi単結晶の育成方法。

IPC (3件)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-118089
  
• 半導体用シリコン単結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348620   出願人：住友シチックス株式会社