特許

J-GLOBAL ID：200903018820911360

半導体装置作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大沼 英人 ,  高野 圭恵 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044573
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223533
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 結晶化を助長する触媒元素を用いて固相成長により得た結晶性珪素膜から、触媒元素を除去する方法を提供する。【解決手段】 触媒元素を有する結晶性珪素膜に選択的に燐を注入し、該注入部分の珪素膜を非晶質化せしめる。そして、熱アニール処理をおこない、珪素膜を加熱すると、触媒元素はゲッタリング能力の大きい燐の注入された非晶質の部分に移動する。かくして、珪素膜の触媒元素濃度は低下し、これを用いて半導体デバイスを作製する。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜または珪素を含む非晶質膜を、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化させ、結晶性膜を形成する工程と、結晶性膜に対してパルスレーザー光または同等の強光の照射を行い応力歪を蓄積させる工程と、 結晶性膜上にマスクを選択的に形成する工程と、前記マスクを用いて、前記結晶性膜に15族から選ばれた元素を添加する工程と、加熱処理を施し、前記元素が注入された領域に前記元素が添加されなかった領域から前記金属元素をゲッタリングさせる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C01B 33/02 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  C01B 33/02 E ,  C30B 29/06 504 K ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097478   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所