特許

J-GLOBAL ID：200903083347948827

半導体装置の作製方法

発明者： 田中 幸一郎 ,  大沼 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097478
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330602
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】珪素の結晶化を助長する金属元素を利用した半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】珪素の結晶化を助長する金属元素であるニッケルを利用して得られた結晶性珪素膜を用いて薄膜トランジスタを構成する場合において、ソース領域108とドレイン領域109の作製に際して、ニッケルをゲッタリングする元素である燐をイオン注入する。そしてアニールを施すことにより、ニッケルのゲッタリングを行う。例えばPチャネル型の薄膜トランジスタを形成する場合において、燐ンと硼素の両方を用いる。この場合、導電型は硼素で決定し、燐はゲッタリング材料として用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非単結晶で、結晶化を助長する触媒元素としてニッケルが1×1015〜1×1019原子/cm3 の濃度で添加された結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、前記結晶性シリコン膜を半導体装置の活性層に成形する工程と、前記活性層のソース・ドレイン領域に燐を添加する工程と、前記活性層に対して、熱アニール又は/及び光アニールを施す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324

FI (7件)：

H01L 29/78 616 L ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/322 J ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040522   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体回路およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-067982   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所