ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058674
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275574
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】パターン側壁上に堆積する側壁付着物の除去工程を省略することにより、下地選択性を向上させる。【構成】 Wポリサイド膜15の表面の反射防止膜であるSiON膜16がエッチングされた時点でレジスト・マスク17を除去または消耗させ、Wポリサイド膜15はSiON膜パターン16aをマスクとしてエッチングする。蒸気圧の低いエッチング反応生成物SiBrx を含む側壁保護膜18の付着範囲が実質的にゲート電極15aの側壁面上に限定されるため、この側壁保護膜18を特に除去する必要はない。このため、ゲート酸化膜12の除去はオーバーエッチング時の除去分に限られる。Al系配線膜上のSiO2 層間絶縁膜にビアホールを開口するプロセスに適用すれば、アルミ・クラウンの発生あるいはその除去に伴う下地のAl系配線膜の除去を防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板上のパターンの側壁面上に堆積可能なエッチング反応生成物および/またはスパッタ生成物を生じ得るエッチング反応系により多層膜をエッチングするドライエッチング方法において、前記多層膜上に形成された有機材料マスクを介して該多層膜の少なくとも最上層を構成する材料膜のエッチングを終了した後、得られた該材料膜のパターンのみをマスクとして該多層膜を構成する残りの材料膜をエッチングすることにより、パターンの側壁面上へのエッチング反応生成物および/またはスパッタ生成物の付着量を減ずることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-288841
特開平4-199514
特開平4-105321

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