特許
J-GLOBAL ID：200903018842795496
電荷転送装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-305392
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150184
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 駆動電圧の変更に自由度を有する電荷転送装置およびその製造方法を提供すること、特に、電荷転送電極の駆動電圧の低減のため、パルス電圧の大きさを変更しても、「L」レべル電圧の印加時には、電荷転送電極がピンニング状態となるようにする電荷転送装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 すべての電荷転送電極下の絶縁手段中に同一の固定的な電荷を蓄積することにより、所望の電位ポテンシャル特性を得ることができる電荷転送装置およびその製造方法。具体的には、図1に示すように、第1の酸化膜103-窒化膜104-第2の酸化膜105よりなる3層構造の絶縁膜上に、電荷転送電極106,108が形成され、すべての電荷転送電極106,108下の第1の酸化膜103-窒化膜104の界面、あるいは、窒化膜104-第2の酸化膜105の界面のトラップ準位に、同一の固定的な電荷が蓄積されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層の一主表面上に形成され、かつ相互に近接配置された“第1の酸化膜-窒化膜-第2の酸化膜”よりなる3層構造の絶縁手段と、電荷転送電極を備え、該電極すべての電荷転送電極下の前記“第1の酸化膜-窒化膜”の界面、もしくは、前記“窒化膜-第2の酸化膜”の界面に、同一の固定的な電荷を蓄積することにより、前記電荷転送電極下に所望の深さの電位井戸を形成する手段と、を備えていることを特徴とする電荷転送装置。
IPC (4件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
, H01L 27/148
, H04N 5/335
H01L 29/76 301 A
, H04N 5/335 F
, H01L 27/14 B
