中空形状マグネトロンスパッタ電極

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：住吉多喜男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-200375
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：

【要約】【目的】スパッタ粒子の飛翔方向が制御できるとともに処理空間全体のスパッタガス圧を高めることなく安定したプラズマを発生でき、簡単な構造のターゲットを用いてターゲットの冷却が行える手段を提供する。【構成】一端が開口し他端が閉じた中空部22を有するとともに該中空部にプラズマ生成ガスを供給するガス供給孔23を設けたターゲット3と、該ターゲットを挿入する空間と冷却手段24を設けたターゲット冷却ブロック13と、該ターゲット内に磁気回路を構成する磁石15およびアノード8ならびにヨーク19とから中空形状マグネトロンスパッタ電極を構成する。

請求項（抜粋）：

複数のスパッタ電極を配列したスパッタガン組立体に用いるスパッタ装置の中空形状マグネトロンスパッタ電極であって、一端が開口し他端が閉じた中空部を有するとともに該中空部にプラズマ生成ガスを供給するガス供給孔を設けたターゲットと、該ターゲットを挿入する空間と冷却手段を設けたターゲット冷却ブロックと、該ターゲット内に磁気回路を構成する磁石およびアノードならびにヨークとからなることを特徴とする中空形状マグネトロンスパッタ電極。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/35 , H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-134165
特開昭61-246363
特開平3-193870

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