特許
J-GLOBAL ID：200903018861263470
IB-IIIA-VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 岡部 讓
, 臼井 伸一
, 藤野 育男
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 高梨 憲通
, 小林 恒夫
, 齋藤 正巳
, 木村 克彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-523109
公開番号（公開出願番号）：特表2007-503708
出願日： 2004年08月13日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
本発明は、IB-IIIA-VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、(i)IB族及びIIIA族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、(ii)第1のVIA族元素(当該第1のVIA族元素は、これ以降、VIA1と呼ばれる)の発生源が存在する中で、IB-VIA1族合金及びIIIA-VIA1族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの二元合金と、少なくとも1つのIB-IIIA-VIA1族三元合金との混合物を含む第1の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、(iii)第2のVIA族元素(当該第2のVI族元素は、これ以降、VIA2と呼ばれる)の発生源が存在する中で、第1の薄膜を、IB-VIA1-VIA2族合金及びIIIA-VIA1-VIA2族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの合金と、ステップ(ii)の少なくとも1つのIB-IIIA-VIA1族三元合金とを含む第2の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第1の薄膜を熱処理するステップと、(iv)第1の薄膜又は第2の薄膜のいずれかを熱処理して、IB-IIIA-VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、IB-IIIA-VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
請求項（抜粋）：
IB-IIIA-VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、該方法は、
(i)IB族及びIIIA族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、
(ii)第1のVIA族元素(該第1のVIA族元素は、これ以降、VIA1と呼ばれる)の発生源が存在する中で、IB-VIA1族合金及びIIIA-VIA1族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの二元合金と、少なくとも1つのIB-IIIA-VIA1族三元合金との混合物を含む第1の薄膜を形成するための条件下で前記金属薄膜を熱処理するステップと、
(iii)第2のVIA2族元素(該第2のVIA族元素は、これ以降、VIA2と呼ばれる)の発生源が存在する中で、ステップ(ii)の前記第1の薄膜を、IB-VIA1-VIA2族合金及びIIIA-VIA1-VIA2族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの合金と、前記ステップ(ii)の少なくとも1つのIB-IIIA-VIA1族三元合金とを含む第2の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、前記第1の薄膜を熱処理するステップと、
(iv)ステップ(ii)の前記第1の薄膜又は前記ステップ(iii)の前記第2の薄膜のいずれかを熱処理して、IB-IIIA-VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、IB-IIIA-VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法。
IPC (3件)：
H01L 21/363
, C23C 14/06
, H01L 31/04
H01L21/363
, C23C14/06 N
, H01L31/04 E
4K029AA02
, 4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029BA11
, 4K029BA21
, 4K029BB02
, 4K029BB07
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029CA05
, 4K029DB21
, 4K029DC16
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 4K029FA04
, 4K029GA01
, 5F051AA10
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051CB24
, 5F051GA03
, 5F103AA01
, 5F103AA08
, 5F103DD28
, 5F103HH01
, 5F103HH04
, 5F103HH05
, 5F103LL04
, 5F103PP03
