特許

J-GLOBAL ID：200903018862734736

半導体集積回路およびその製造方法

発明者： 五十嵐 育弘 ,  佐々木 博
出願人/特許権者： 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102630
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297841
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 被覆率の制御、電位固定が容易なダミーパターンを用いた半導体集積回路およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板上に形成された集積回路パターン21、22と、この集積回路パターンの配線密度の低い領域に形成された格子形状のダミーパターン11とを備えたことを特徴とする格子形状のダミーパターンを配置した半導体集積回路。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された集積回路パターンと、この集積回路パターンの配線密度の低い領域に形成された格子形状のダミーパターンとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/82 W ,  H01L 21/82 L ,  H01L 27/04 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の配線レイアウト方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-052897   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-301369   出願人：日本電気株式会社