特許

J-GLOBAL ID：200903018869400353

金属酸化物焼結体およびその用途

発明者： 松崎 隆造 ,  中村 和正 ,  篠田 英之 ,  内海 健太郎 ,  長崎 裕一 ,  高畑 努
出願人/特許権者： ジオマテック株式会社 ,  東ソー株式会社
代理人 (1件)： 岸田 正行 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349736
公開番号（公開出願番号）：特開2000-169220
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：

【要約】【課題】 フラットパネルディスプレイの透明電極等に用いられるITO薄膜を結晶化温度以上の基板温度で形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。【解決手段】 In、Sn、AlおよびOからなり、Al含有量(原子比)がAl/(In+Sn+Al):0.1%以上、2.0%未満である金属酸化物焼結体、この金属酸化物焼結体を用いた蒸着材料/スパッタリングターゲットを用いて、In、Sn、AlおよびOからなり、Al含有量(原子比)がAl/(In+Sn+Al):0.1%以上、2.0%未満%であるフラットパネルディスプレイ、タッチパネル等の機器用の透明導電性膜を形成する。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズ、アルミニウムおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(In+Sn+Al)の原子比で0.1%以上、2.0%未満の割合で含有されていることを特徴とする金属酸化物焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/457 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14

FI (3件)：

C04B 35/00 R ,  C23C 14/34 A ,  H01B 5/14 A

Fターム (17件)：

4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA22 ,  4K029AA08 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 蒸着用インジウム・スズ酸化物材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-220051   出願人：株式会社オプトロン, キヤノン株式会社