特許
J-GLOBAL ID：200903018883079843

半導体装置及びその製造方法

発明者：
岩渕 昭夫

岩渕 昭夫 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-182780
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008006
出願日： 2001年06月18日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 耐圧の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 N形ドレインドリフト領域20の表面領域にN+型のドレイン領域17と、N+形のソース領域を包囲するP形のウェル領域18を形成する。また、ウェル領域18の近傍に、ゲート電極としてのポリシリコン膜25を設ける。ドレイン領域17とウェル領域18との間には、シリコン酸化膜28で埋め込まれた第1のトレンチ21を配置する。ここで、第1のトレンチ21の内部には、シリコン酸化膜28を挟んで第2のフィールドプレート27が複数配置されている。
請求項（抜粋）：
第1の電位に設定される第1半導体領域と、前記第1半導体領域から離間して設けられ、第2の電位に設定される第2半導体領域と、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とを、その表面が露出するように包囲し、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間の電流経路を形成する第3半導体領域と、前記第3半導体領域で、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間に形成されたトレンチに設けられた誘電体層と、前記誘電体層の内部に設けられ、所定の電位に設定される内部フィールドプレートと、を備えることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 301 D
Fターム (20件)：
5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140AC22 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BB13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BF54 ,  5F140BG28 ,  5F140BG31 ,  5F140BG37 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140CD09
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-135656   出願人：日産自動車株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-100858   出願人：松下電工株式会社

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