特許

J-GLOBAL ID：200903018885557440

微細配線形成方法

発明者： 北川 泰雄 ,  藤林 桂
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259022
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103605
出願日： 2002年09月04日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】小型化、薄型化、および低コスト化に対応し、更に高信頼性および安定した特性が得られる微細配線の形成方法を提供する。【解決手段】基板1上に、保護膜6が上面に形成された導電性膜4の線路電極を形成する工程と、線路電極の上面と、側面及び前記基板1の上面を保護膜7で被覆する工程と、異方性エッチングにより、基板1上の天面方向を向いて形成されている保護膜7を除去する工程により、微細な配線を形成する。【効果】導電性膜4を保護膜6と保護膜7により全面を被覆することで、線路電極の信頼性を向上させることが可能となる。更に、異方性エッチングにより微細配線を形成することで、フォトリソ技術を用いた工程が1プロセスのみとなり、製造コストを抑えたプロセス化が可能となる。また、保護膜の材料や形成方法における適用範囲が広く、微細で高アスペクト比な配線形成が可能となる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に設けられ、第1の保護膜が上面に形成された導電性膜の線路電極を形成する第1の工程と、 前記線路電極の上面と、側面及び前記基板の上面を第2の保護膜で被覆する第2の工程と、 異方性エッチングにより、前記基板上の天面方向を向いて形成されている第2の保護膜を除去する第3の工程を有することを特徴とする微細配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3065

FI (5件)：

H01L21/88 B ,  H01L21/28 E ,  H01L21/288 E ,  H01L21/88 G ,  H01L21/302 105B

Fターム (43件)：

4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104HH05 ,  4M104HH09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004DB08 ,  5F004EA12 ,  5F004EA27 ,  5F004EB02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033MM08 ,  5F033MM10 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ41 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04 ,  5F033XX14 ,  5F033XX28 ,  5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-156341
  
• Cu配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-329760   出願人：日本電気株式会社
• 多層配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-229106   出願人：三洋電機株式会社