特許

J-GLOBAL ID：200903095904805323

Cu配線形成方法

発明者： 西沢 厚
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-329760
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156407
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 電解メッキ法により半導体集積回路に用いられる安価で信頼性の高いCu配線を、容易に得ることのできる優れたCu配線形成方法を提供する。【解決手段】 電解メッキ法によりCu配線を形成する方法において、メッキ給電層を除去する工程の前に、該メッキ給電層上およびCu上に被覆層として絶縁膜のシリコン窒化膜(SiN)、導電膜のタングステン(W)、窒化チタン(TiN)等をCVD法またはスパッタリング法により形成する工程と、前記被覆層とメッキ給電層をエッチバック法を用いて同時に除去する工程、を含むことを特徴とするCu配線の形成方法。

請求項（抜粋）：

電解メッキ法によりCu配線を形成する方法において、メッキ給電層を除去する工程の前に、該メッキ給電層上およびCu上に被覆層を形成する工程と、前記被覆層とメッキ給電層をエッチバック法を用いて同時に除去する工程、を含むことを特徴とするCu配線形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (7件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/283 N ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 D

Fターム (70件)：

4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104DD08 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD66 ,  4M104EE09 ,  4M104EE18 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF23 ,  4M104FF27 ,  4M104GG13 ,  4M104HH20 ,  5F004AA08 ,  5F004BD05 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA12 ,  5F004EA27 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM10 ,  5F033MM13 ,  5F033MM18 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033XX18 ,  5F033XX25 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-179989   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-254027   出願人：日本電気株式会社
• ドライエッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303590   出願人：日新電機株式会社