イメージセンサ及びその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-121034
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205503
出願日： 2008年05月07日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】受光部での隣接画素への漏れ込みを防止して、高開口率、高密度の受光画素を備えたイメージセンサおよびその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】光電変換層に溝部を形成し、この溝部に絶縁性の光吸収物を埋め込む。光吸収物の下部の光電変換層(溝部の下に残存した光電変換層)は光吸収物によって遮光されるため、フォトキャリアが生じないことを利用する(段落0013)。なお、光吸収物が確実に溝部に埋め込まれる深さである必要があるので、溝部は光電変換層を貫通せず、溝部の下に光電変換層を残存させている(段落0070)。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタのそれぞれに電気的に接続された複数の下部電極と、前記複数の下部電極上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層上に設けられた透光性を有する上部電極と、を有し、前記光電変換層表面には溝部が設けられており、前記溝部の下に前記光電変換層が残存すると共に、前記溝部に絶縁性の光吸収物が充填されていることを特徴とするイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 29/786 , H01L 31/10

FI (4件)：

H01L27/14 A , H01L29/78 622 , H01L29/78 612B , H01L31/10 A

Fターム (63件)：

4M118BA05 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA05 , 4M118CA32 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118FA33 , 4M118FB13 , 5F049MA04 , 5F049MB04 , 5F049NA04 , 5F049NA20 , 5F049NB03 , 5F049NB05 , 5F049PA05 , 5F049PA14 , 5F049QA03 , 5F049RA04 , 5F049RA06 , 5F049SE04 , 5F049SE05 , 5F049SS03 , 5F049WA03 , 5F110AA04 , 5F110AA21 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG31 , 5F110GG45 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP29 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-122268
特開昭61-177773
特開昭61-049569

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