特許
J-GLOBAL ID:200903018894755794

ノイズ低減素子およびそれを用いた半導体回路素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-060974
公開番号(公開出願番号):特開平11-345714
出願日: 1999年03月09日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】 放熱性及び耐振性の優れたノイズ低減素子を提供する。【解決手段】 磁性材料からなる筒状磁心と該磁心を収納する絶縁ケースを有するノイズ低減素子において、該ノイズ低減素子には半導体回路のライン又は各種素子のリードを挿通するための空心部が設けられており、ケースの空心部入口が前記ライン又はリードと同じ形状であること、又は絶縁ケースに液晶ポリマーを用いる。
請求項(抜粋):
磁性材料からなる筒状磁心と該磁心を収納する絶縁ケースを有するノイズ低減素子において、該ノイズ低減素子を構成する絶縁ケースには半導体回路のライン又は各種素子のリードを挿通するための空心部が設けられており、該ケースの空心部入口が前記ライン又はリードと同じ形状であることを特徴とするノイズ低減素子。
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • ノイズ除去素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-209331   出願人:富士通株式会社
  • インダクタンス素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-314596   出願人:株式会社東芝
  • ノイズ低減素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-277778   出願人:株式会社東芝, 株式会社電設
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