特許
J-GLOBAL ID：200903018895126553
薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047661
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246214
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 膜厚や膜質等の安定したルテニウム膜、酸化ルテニウム膜を形成する薄膜形成方法を提供する。また、これらルテニウム膜、酸化ルテニウム膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Ru(DMHPD)3を原料に用いた化学気相成長法により、ルテニウム膜又は酸化ルテニウム膜を形成する。Ru(DMHPD)3を安定して供給するために、Ru(DMHPD)3は、液体状にしたRu(DMHPD)3を気化して用いる。
請求項（抜粋）：
Ru(DMHPD)3を原料に用いた化学気相成長法により、ルテニウム膜又は酸化ルテニウム膜を成膜することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (12件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, C01G 55/00
, C23C 16/18
, C23C 16/40
, C30B 25/02
, C30B 29/02
, C30B 29/16
, H01L 21/314
, H01L 21/3205
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/285 301 Z
, H01L 21/285 C
, C01G 55/00
, C23C 16/18
, C23C 16/40
, C30B 25/02 Z
, C30B 29/02
, C30B 29/16
, H01L 21/314 A
, H01L 21/88 M
, H01L 27/10 651
