特許
J-GLOBAL ID:200903018898958207
半導体メモリの管理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-105965
公開番号(公開出願番号):特開2006-286111
出願日: 2005年04月01日
公開日(公表日): 2006年10月19日
要約:
【課題】半導体メモリに物理的な異常が発生した場合にその異常を精度よく判定することができる半導体メモリの管理装置を提供する。【解決手段】この装置は、電子制御ユニット20に設けられて所定のデータを書き込み可能なEEPROM25に適用される。EEPROM25の三つの記憶領域イ,ロ,ハに同一の特定データが書き込まれる。各記憶領域イ,ロ,ハに書き込まれたデータをそれぞれ読み込んで比較し、それらデータの全てが一致している場合あるいは二つのみが一致している場合には、EEPROM25が正常であると判定する。それらデータの全てが不一致である場合には、EEPROM25が異常であると判定する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電子制御ユニットに設けられて所定のデータを書き込み可能な半導体メモリの管理装置において、
前記半導体メモリの記憶領域を三つ以上の領域に分割しそれら分割された記憶領域に同一のデータを書き込む書き込み手段と、
それら書き込まれたデータを各記憶領域から読み込み、同一の記憶内容を示すデータの数が前記記憶領域の分割数よりも小さい所定の判定値未満であることに基づいて半導体メモリが異常である旨判定する異常判定手段と
を備えることを特徴とする半導体メモリの管理装置。
IPC (3件):
G11C 29/42
, G06F 12/16
, G11C 16/02
FI (3件):
G11C29/00 631D
, G06F12/16 310L
, G11C17/00 601Z
Fターム (18件):
5B018GA01
, 5B018GA05
, 5B018HA06
, 5B018KA02
, 5B018NA06
, 5B018QA14
, 5B018RA03
, 5B018RA04
, 5B125BA01
, 5B125CA11
, 5B125DA01
, 5B125DE07
, 5B125DE08
, 5B125FA01
, 5B125FA10
, 5L106AA10
, 5L106BB01
, 5L106GG05
引用特許:
出願人引用 (1件)
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車両用制御装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-252007
出願人:株式会社デンソー
審査官引用 (3件)
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誤り訂正機能付半導体メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-202342
出願人:川崎製鉄株式会社
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特開昭61-061299
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特開昭61-061299
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