特許
J-GLOBAL ID：200903018904060170

荷電ビーム描画装置及び描画方法

発明者：
中杉 哲郎

中杉 哲郎 について

, 
渡邊 由美

渡邊 由美 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-172637
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068638
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 マルチビーム方式における描画領域境界でのつなぎずれを無くすことができ、描画精度の向上をはかる。【解決手段】 複数の電子ビーム光学系を持つマルチビーム方式の電子ビーム描画装置において、複数の電子ビーム光学系のうち一つの電子ビーム光学系を選択する手段(S1)と、選択された以外の電子ビーム光学系で順次マーク検出を行う手段(S3)と、選択された電子ビーム光学系における他のマークからの反射粒子の干渉を測定する手段(S4)と、測定結果に基づき干渉のない電子ビーム光学系同士をグループ化する手段(S7)と、グループ化された電子ビーム光学系で同時にマーク位置検出を行う手段(S9)とを備えた。
請求項（抜粋）：
複数の荷電ビーム光学系を持つマルチビーム方式の荷電ビーム描画装置において、複数の荷電ビーム光学系のうち一つの荷電ビーム光学系を選択する手段と、該手段により選択された以外の荷電ビーム光学系で順次マーク検出を行う手段と、前記選択された荷電ビーム光学系における他のマークからの反射粒子の干渉を測定する手段と、該手段の測定結果に基づき干渉のない荷電ビーム光学系同士をグループ化する手段と、該手段によりグループ化された荷電ビーム光学系で同時にマーク位置検出を行う手段とを具備してなることを特徴とする荷電ビーム描画装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 9/00 ,  H01J 37/305
FI (5件)：
G03F 7/20 504 ,  G03F 9/00 H ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 K ,  H01L 21/30 541 W
Fターム (12件)：
2H097AA03 ,  2H097BB03 ,  2H097CA16 ,  2H097KA13 ,  2H097KA18 ,  2H097KA28 ,  2H097LA10 ,  5C034BB06 ,  5C034BB07 ,  5F056AA33 ,  5F056BD03 ,  5F056BD05
引用特許：
審査官引用 (1件)

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