特許

J-GLOBAL ID：200903018905539118

電子線照射を用いたドーピング方法

発明者： 和田 隆夫 ,  山田 芳靖 ,  永久保 雅夫 ,  片山 雅之
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  和田 隆夫
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320673
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157099
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 高エネルギー電子線が半導体基板を突き抜けることによって生ずる照射ダメージを防止する。【解決手段】 基板上に、ドーピングする元素を有するドーパント基材を重ね合わせ、ドーパント基材側に電子線を、当該電子線が前記ドーパント基材中に停止する加速電圧で照射する。この際、用いるドーパント基材は、電子線照射方向の厚さdが、d=Rex /ρ(但し、Rexは射影飛程、ρはドーパント基材の密度)で表されるドーパント基材内での電子線進入距離dより大きい厚さのものを使用する。これにより、照射された電子線により基板がダメージを受けることを防止できる。

請求項（抜粋）：

基板上に、当該基板にドーピングする元素を有するドーパント基材を重ね合わせ、前記ドーパント基材側に電子線を、当該電子線が前記ドーパント基材中に停止する加速電圧で照射することで、前記ドーパント基材を構成する前記元素を前記基板内にドーピングする電子線照射を用いたドーピング方法であって、前記ドーパント基材は、前記電子線照射方向の厚さが、前記ドーパント基材内での電子線進入距離より大きい厚さのものを使用することを特徴とする電子線照射を用いたドーピング方法。

IPC (4件)：

C30B 31/20 ,  C23C 26/00 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/263

FI (4件)：

C30B 31/20 ,  C23C 26/00 E ,  H01L 21/22 E ,  H01L 21/263

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高エネルギ電子線によるSi基板へのGe,Sb及びW不純物原子のドーピング