特許
J-GLOBAL ID：200903018940034835
半導体微小ドットの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034837
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236501
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 簡便な方法で、有用な半導体であるAlGaAsやGaAsからなる半導体微小ドットの製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板1上にGaAsバッファ層2を形成し、その上にAlGaAs障壁層3、GaAs量子井戸層4、AlGaAs障壁層5からなる量子井戸構造を形成し、そのAlGaAs障壁層5上に島状InAs結晶6を堆積し、この島状InAs結晶6をマスクとして下地の半導体結晶のみを塩素ガス中で選択的にエッチングし、半導体微小ドットを得る。
請求項（抜粋）：
(a)下地となる半導体結晶上に格子定数の異なる異種の半導体を堆積し島状の異種半導体結晶を形成する第1の工程と、(b)前記島状の異種半導体結晶をマスクとして下地の半導体結晶のみをガス中で選択的にエッチングする第2の工程とを有する半導体微小ドットの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, G02F 1/015 501
, H01L 21/203
, H01L 29/80
, H01S 3/18
H01L 21/302 F
, G02F 1/015 501
, H01L 21/203 M
, H01S 3/18
, H01L 29/80 A
