特許
J-GLOBAL ID：200903018952803125
電界効果型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136606
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330092
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 電界効果型半導体装置に関し、高逆方向耐圧BVgd及び高最大ドレイン電流Idmax特性を有する電界効果型半導体装置を提供する。【解決手段】 チャネル層2を構成する半導体の禁制帯幅をキャップ層3を構成する半導体の禁制帯幅より広くするとともに、キャップ層3に、ドレイン領域5を構成する高不純物濃度領域に変換された領域の少なくともゲート電極4側の端部を完全に除去した凹部9を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にチャネル層及びキャップ層とを少なくとも設け、前記キャップ層内に埋め込まれたゲート電極を有する電界効果型半導体装置において、前記チャネル層を構成する半導体の禁制帯幅を前記キャップ層を構成する半導体の禁制帯幅より広くするとともに、前記キャップ層に、ドレイン領域を構成する高不純物濃度領域に変換された領域の少なくともゲート電極側の端部を完全に除去した凹部を設けたことを特徴とする電界効果型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
