薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183896
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029320
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】大粒径の多結晶シリコン薄膜を形成して薄膜トランジスタを形成する場合に、より確実に活性領域内の膜質を均一化してトランジスタの移動度μ等のばらつきを抑えて、高性能化をはかる。【構成】非晶質シリコン薄膜2上の所定の位置に点状の結晶成長核5を発生させて固相結晶化してシリコン薄膜13を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、結晶成長核5を、薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域外の近傍に形成して、固相結晶化を行う。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン薄膜上の所定の位置に点状の結晶成長核を発生させて固相結晶化してシリコン薄膜を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、上記結晶成長核を、上記薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域外の近傍に形成して、固相結晶化を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/20 , H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-140916
特開平2-260526
特開平4-119633

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