特許

J-GLOBAL ID：200903018960046449

半導体発光装置

発明者： 佐野 武志
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216442
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 静電破壊に強い半導体発光装置を提供する。【解決手段】 半導体発光素子34と、半導体発光素子34のカソード電極に接続された第1のリード12、半導体発光素子34のアノード電極に接続された第2のリード14、及び第1のリード12と第2のリード14の間に橋設された静電破壊防止素子200とを有する半導体発光装置100である。ここで、静電破壊防止素子200は低電圧ダイオードで構成され、そのアノードは、半導体発光素子34のカソード電極に接続され、カソードは、半導体発光素子34のアノード電極にに接続され、低電圧ダイオードの逆方向電圧は、半導体発光素子34の順方向の立ち上がり電圧よりも高く、且つサージ電圧を吸収して半導体発光素子34を保護するに十分な程度に低い電圧値に設定されている。

請求項（抜粋）：

半導体発光素子と、前記半導体発光素子のカソード電極に接続された第1のリードと、前記半導体発光素子のアノード電極に接続された第2のリードと、前記第1及び第2のリード間に電気的に接続された静電破壊防止素子と、前記半導体発光素子、前記第1のリードの一部、前記第2のリードの一部及び前記静電破壊防止素子を一体として内包する外囲体とを有することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/125 ,  H01S 5/18

FI (6件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 Z ,  H01S 3/18 612 ,  H01S 3/18 644 ,  H01S 3/18 650

Fターム (28件)：

5F041AA23 ,  5F041AA47 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA19 ,  5F041DA25 ,  5F041DA43 ,  5F041DA83 ,  5F041DB01 ,  5F041DC23 ,  5F041FF06 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29 ,  5F073FA16 ,  5F073FA27 ,  5F073FA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-271040   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-271039   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-204683   出願人：ローム株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-319362   出願人：日亜化学工業株式会社