特許

J-GLOBAL ID：200903063059964965

半導体発光素子

発明者： 筒井 毅 ,  園部 雅之 ,  中田 俊次 ,  伊藤 範和 ,  磯川 慎二 ,  戸田 秀和
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-271040
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256610
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子のp側電極とn側電極に対する逆電圧の印加や順方向でも外部からのサージなどの大きな入力に対して、破壊し難い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 (a)発光層を形成すべく積層される半導体層、および該半導体層のn形層とp形層にそれぞれ接続されるn側電極39とp側電極38を有する発光部(LEDチップ3)と、(b)前記第1導電形層および第2導電形層の間に電気的に接続されて前記発光部に印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光部を保護する保護素子部(保護ダイオードチップ5)、とを内蔵している。

請求項（抜粋）：

(a)発光層を形成すべく第1導電形層および第2導電形層を含む半導体層が積層される発光部と、(b)前記第1導電形層および第2導電形層の間に電気的に接続されて前記発光部に印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光部を保護する保護素子部、とを内蔵する半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-222627   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開昭52-061982
  
• 特開昭59-159577
  
• 特開昭60-262476