特許
J-GLOBAL ID：200903018979110334

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
原田 耕一

原田 耕一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269879
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078126
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 撮像部における受光感度及び画質の向上、水平転送レジスタにおける転送効率の向上を図りつつ、ユニットセルの微細化を可能とする。【解決手段】 垂直転送レジスタ120は、単層構造のメタル電極よりなる転送電極122を有し、水平転送レジスタ130は、ポリシリコン膜よりなる下層転送電極132と、タングステン等のメタル電極よりなる上層転送電極133を有している。また、水平転送レジスタ130では、トランスファ部のバリア層134を下層転送電極132のポリシリコン膜をセルフアラインとするイオン注入によって形成できる。また、垂直転送レジスタ120の転送電極122と水平転送レジスタ130の上層転送電極133となるメタル電極膜は同時工程によって作製する。
請求項（抜粋）：
2次元マトリクス状に配列されたフォトセンサと、前記フォトセンサの信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタと、前記垂直転送レジスタから転送された信号電荷を出力部に転送する水平転送レジスタとを備えた固体撮像素子において、前記垂直転送レジスタは単層構造の転送電極を有し、前記水平転送レジスタは下層の転送電極と上層の転送電極よりなる2層構造の転送電極を有し、少なくとも前記水平転送レジスタの下層の転送電極がポリシリコン電極またはシリサイド電極より形成されている、ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B
Fターム (12件)：
4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA03 ,  4M118DA03 ,  4M118DA18 ,  4M118DA23 ,  4M118FA06 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX02 ,  5C024GY04 ,  5C024GY05
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162918   出願人：株式会社東芝
  • 固体撮像装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-150800   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平2-034940
審査官引用 (3件)
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162918   出願人：株式会社東芝
  • 固体撮像装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-150800   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平2-034940

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