特許

J-GLOBAL ID：200903018979178648

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 奥村 智洋 ,  原口 秀夫 ,  中山 一郎 ,  柳 義弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-301597
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199487
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【目的】 ダストの発生が少なく、メンテナンス頻度が小さく、プラズマ処理の再現性に優れたプラズマ処理方法および装置を提供する。【構成】 真空容器1内に適当なガスを導入しつつ排気を行い、真空容器1内を適当な圧力に保ちながら、放電コイル用高周波電源2により平板状渦形放電コイル3に高周波電圧を印加することにより、誘電板7を介して真空容器1内に高周波磁界を発生させ、高周波磁界による誘導電界で電子を加速し、真空容器1内にプラズマを発生させて、基板5を処理するプラズマ処理方法及び装置において、誘電板7を平面状ヒータ9にて80°C以上に加熱することにより、誘電板7へ堆積する薄膜を著しく小さくしてダストの発生を抑制し、誘電板7のメンテナンス頻度を著しく小さくする。

請求項（抜粋）：

高周波電源と平面状渦形放電コイルとを備え、高周波電源により放電コイルに高周波電圧を印加することにより、誘電板を介して真空容器内に高周波磁界を発生させ、高周波磁界による誘導電界で電子を加速し、真空容器内にプラズマを発生させて、基板を処理するプラズマ処理方法であって、誘電板を加熱手段にて80°C以上に加熱することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 C ,  C23C 14/34 T ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 被加熱掃去面を備えるプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-246240   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013981   出願人：東京エレクトロン株式会社